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聚合物鐵電復(fù)合材料的概述

更新時間:2021-02-04      點擊次數(shù):1251

在自然界中存在的物質(zhì)一般可分為4大類,即金屬、塑料、陶瓷、復(fù)合材料。聚合物鐵電復(fù)合材料是一種聚合物和鐵電陶瓷的復(fù)合材料。鐵電材料具有廣泛的應(yīng)用,因為它的高介電性介電常數(shù)。但它具有機械強度差和較低的斷裂強度,可以由聚合物矩陣來補償。聚合物具有良好的機械、易于合成、低聲波阻抗和高介電擊穿強度等優(yōu)點,但缺點是較低的介質(zhì)常數(shù)。類似地,陶瓷力學(xué)很差、非常脆弱、聲波阻抗高、擊穿強度降低,但有著較高的介電常數(shù)。此外,通過改變成分的性質(zhì),材料的可以被調(diào)諧為所需要的。因為這是一個比較領(lǐng)域,需要做大量的工作來對其進行深入的了解,以便可以有效地用于各種應(yīng)用。

RosalinBeura等對這方面進行了一定的研究,將聚合物聚乙烯醇(PVA)與鐵電陶瓷BaZr0.1Ti0.9O3(BZT)制備成一種聚合物陶瓷復(fù)合材料PVA-BZT(比例為90/10,80/20,70/30,60/40,50/50)。BZT粉末是通過固相反應(yīng)路線制備的,對BaZr0.1Ti0.9O3初步的X射線分析發(fā)現(xiàn)完成了單相化合物在立方晶系中形成,鐵電化合物的聚合物復(fù)合材料是以聚乙烯醇為聚合物基體制備的。掃描電鏡結(jié)果顯示BZT顆粒分布均勻無多孔基體。在50~150℃的溫度范圍,102~106Hz的頻率范圍內(nèi),對該材料的介電和阻抗進行了詳細的研究,發(fā)現(xiàn)這些對溫度和頻率是高度依賴的。如圖2和3所示,在較低的頻率,介電常數(shù)和介電損耗均隨著溫度的增加而增加(以PVA+40%(體積分?jǐn)?shù))為例)。

 

 

另外,有研究指出陶瓷與聚合物復(fù)合可以大大提高材料的耐擊穿強度。研究發(fā)現(xiàn),陶瓷粒子與聚合物之間的相互作用在改善復(fù)合材料的介電中起到了非常重要的作用。適當(dāng)?shù)难由炀酆衔锟梢栽黾泳酆衔锏慕殡姄舸姸?。將無機填充劑與生物矩陣形成一個架橋矩陣,使無機相和有機相之間形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。例如,在XiaoliangDou等的研究中發(fā)現(xiàn),鈦酸鹽和BT發(fā)生反應(yīng)主要是鈦酸鹽的碳烷基鏈和BT表面的羥基反應(yīng),使烷烴和有機體發(fā)生糾纏,此過程加固鈦酸鹽和BT之間的不同屬性鍵連接堅定。BT的鈦酸鹽與PVDF之間的相互交聯(lián)會導(dǎo)致有機相與無機相之間形成一個狹窄的接口,此外BT可以適當(dāng)延長PVDF涂層矩陣導(dǎo)致刃型位錯,BT粒子雜質(zhì)增加PVDF的缺陷,這些因素導(dǎo)致多和深的陷阱,使復(fù)合材料的空間電荷增加,從而增加材料的耐擊穿強度。JunjunLi等在研究電能儲存在含有鈦酸鋇納米顆粒的鐵電聚合物納米材料中,相比于不含BaTiO3納米粒子的聚合物材料,含20%(體積分?jǐn)?shù))BaTiO3納米粒子聚合物陶瓷復(fù)合材料的電場位移密度較?。ㄔ冢保埃埃停郑淼碾妶鱿?,電位移密度低于3.3C/cm2);含30%BaTiO3,能量密度較高(約是聚合物材料的2倍);含5%BaTiO3,結(jié)晶溫度提升(從100℃升至106℃),聚合物融化熱升高(從18.3J/g升至20.7J/g),結(jié)晶度增加(從21%升至24%)。

也有研究者利用酞菁銅齊聚物和P(VDF-TrFE)聚合物開發(fā)了適用于高效能電能儲存器的有機鐵電材料,即陶瓷/聚合物0-3復(fù)合材料以及介電常數(shù)高于1000的聚合物復(fù)合材料,可用于電子包裝、超級電容器等領(lǐng)域。聚合物鐵電復(fù)合材料應(yīng)用價值巨大,還需要進行細致深入的研究。

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