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燒結(jié)裝置平臺的介紹

更新時間:2020-11-16      點擊次數(shù):806

到目前為止,閃燒技術(shù)還沒有一個優(yōu)化而統(tǒng)一的實驗平臺標(biāo)準(zhǔn),不同的研究課題組在研究閃燒時用到的加熱樣品、施加電壓的方式,甚至樣品的形狀可能有很大的差別,實驗平臺通常都是自行組裝研制或者是由其他高溫設(shè)備改進(jìn)而來。

閃燒典型的實驗平臺來自Cologna等初的報道。在以后的研究中,這一實驗平臺也出現(xiàn)了其他形式,比如帶有窗口的箱式高溫爐等。

通過窗口,可使用錄像機(jī)和原位X射線衍射儀等裝置來記錄燒結(jié)過程中樣品的尺寸和物相變化。這類平臺所使用的坯體通常為“狗骨頭”形狀。

2類實驗平臺是使用改裝的膨脹儀來進(jìn)行實驗的,類似的還有結(jié)合外加壓力的閃燒設(shè)備。在這類實驗平臺中,坯體和電極一般均為圓柱或者圓片形。2個電極將坯體夾在中間來施加大電場。由再外端的2個壓頭壓緊使電極和坯體接觸均勻。在閃燒過程中,樣品的收縮形態(tài)通常不可見,收縮量可以通過線膨脹值或者壓頭位移量來表征。

以上2類閃燒平臺的共同點是對樣品施加高的電場強(qiáng)度,使樣品在爐內(nèi)溫度下產(chǎn)生電流從而因焦耳熱效應(yīng)迅速升溫。

第3類平臺設(shè)計方法與放電等離子體燒結(jié)爐(spark plasma sintering,SPS)和熱壓燒結(jié)爐(hotpressing,HP)類似。其中一種由商業(yè)SPS設(shè)備改造而來,稱為放電等離子體閃燒(flash spark plasmasintering,F(xiàn)SPS),如圖2b所示問。FSPS中坯體也為圓柱或者圓片狀,通常不使用套筒,而是直接通過壓頭與電極相連。在燒結(jié)過程中使用非??焖俚纳郎厮俾?,同時輔助軸向壓力促進(jìn)致密化。FSPS與以上2類平臺大的區(qū)別在于其不需要對坯體施加大電場,而是通過設(shè)備使大電流直接通過樣品從而升溫。

FSPS技術(shù)是利用成熟的商業(yè)SPS平臺改進(jìn)的,有許多優(yōu)點:

1)可以施加高的軸向壓力,增加燒結(jié)過程中的驅(qū)動力,使得陶瓷粉體在快速加熱過程中快速地致密化;

2)可以在真空或者惰性氣體保護(hù)的環(huán)境中進(jìn)行閃燒,這使得閃燒技術(shù)可以擴(kuò)展到高技術(shù)非氧化物陶瓷的制備中;

3)相比較點接觸式的閃燒方法,F(xiàn)SPS的電極與樣品接觸面大,因此獲得的樣品致密度和晶粒尺寸也均勻,有利于大尺寸陶瓷材料的制備。

    基于以上優(yōu)點,Niu等設(shè)計和使用了特殊的燒結(jié)模具,改進(jìn)和發(fā)展了FSPS燒結(jié)技術(shù)。如圖2c所示,改進(jìn)后的燒結(jié)模具使用很薄的石墨套筒。在低溫階段電流通過套筒加熱樣品,高溫階段電流通過樣品產(chǎn)生焦耳熱繼續(xù)升溫。這樣就可以在不需要樣品預(yù)成型和預(yù)加熱的條件下進(jìn)行閃燒實驗,節(jié)約了熱能和時間的浪費。依靠這一設(shè)計,在高達(dá)2000A的電流下,僅在1931℃燒結(jié)溫度、15.3MPa燒結(jié)壓力和1min保溫時間條件下就使得碳化硼陶瓷達(dá)樣品產(chǎn)生焦耳熱繼續(xù)升溫。這樣就可以在不需要樣品預(yù)成型和預(yù)加熱的條件下進(jìn)行閃燒實驗,節(jié)約了熱能和時間的浪費。依靠這一設(shè)計,在高達(dá)2000A的電流下,僅在1931℃燒結(jié)溫度、15.3MPa燒結(jié)壓力和1min保溫時間條件下就使得碳化硼陶瓷達(dá)到了99.2%的高致密度。對于碳化硼陶瓷,傳統(tǒng)無壓燒結(jié)至2375℃也只能達(dá)到93%的致密度[];即使在32MPa壓力輔助的條件下,得到致密的碳化硼陶瓷也需要2200℃的高溫條件。Niu的工作說明了閃燒技術(shù)在制備某些陶瓷方面具有顯著的優(yōu)點。

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